MOS FET繼電器即是光耦繼電器，MOS FET英文全稱Metal-Oxide Field-Effect Transistor，其中M: Metal---金屬，O: Oxide---氧化物，S: Semiconductor---半導(dǎo)體，F: Field---場(chǎng),E: Effect---效應(yīng),T: Transistor---晶體管，代表金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管。它的內(nèi)部由3個(gè)芯片構(gòu)成，LED芯片+PDA芯片（光電二極管陣列）+MOS FET芯片共同組成，工作原理是通過LED發(fā)光--PDA發(fā)電--MOS FET開關(guān)，這三個(gè)過程相結(jié)合實(shí)現(xiàn)繼電器的功能。如下圖這種就是MOS FET繼電器：
下面我們來看下MOS FET繼電器特點(diǎn)介紹:
1. 超小型、輕量：
除了SSOP、USOP之外，超小型封裝VSON、S-VSON全新登場(chǎng)，為設(shè)備的小型化做出貢獻(xiàn)。
2. 靜音：
不會(huì)像機(jī)械繼電器那樣在開閉金屬接點(diǎn)時(shí)會(huì)發(fā)出聲音，為設(shè)備的靜音化做出貢獻(xiàn)。
3. 長壽命：
采用光信號(hào)傳輸方式，實(shí)現(xiàn)無接點(diǎn)構(gòu)造。不會(huì)因接點(diǎn)磨損而縮短使用壽命，實(shí)現(xiàn)了長使用壽命。
4. 漏電流微弱：
對(duì)外部浪涌有很高的耐心，而且還沒有緩沖電路，因此正常運(yùn)行時(shí)電流小于1nA，關(guān)閉時(shí)的漏電流也極其微弱。
5. 耐沖擊性出色：
內(nèi)部部件完全為沖壓制品，而且沒有可動(dòng)部等機(jī)構(gòu)部件，具有出色的耐沖擊性、耐震動(dòng)性。
6. 高絕緣性：
將電壓轉(zhuǎn)換成光、以信號(hào)形式進(jìn)行傳送，確保輸入輸出間耐電壓AC2500V。更高級(jí)的AC5000V也已實(shí)現(xiàn)系列化。
7. 低驅(qū)動(dòng)電流：
在推薦運(yùn)行條件（標(biāo)準(zhǔn)）下的驅(qū)動(dòng)電流為2-15mA左右。還有最小可用0.2mA驅(qū)動(dòng)的產(chǎn)品，為整體設(shè)備的節(jié)能化做出貢獻(xiàn)。
8. 高速響應(yīng)性：
運(yùn)行時(shí)間僅0.2ms（SSOP\USOP、VSON），相比機(jī)械繼電器的3ms-5m，速度明顯提升。實(shí)現(xiàn)了高速響應(yīng)性。
9. 可準(zhǔn)確控制微小模擬信號(hào)：
還有與機(jī)械繼電器同等的低導(dǎo)通電阻產(chǎn)品，與雙向可控硅開關(guān)元件相比，不靈敏帶極小。微弱模擬信號(hào)的輸入波形可基本無任何失真地轉(zhuǎn)換為輸出波形。
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